數據列表 | FDS7060N7 |
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產品相片 | 8-SOIC Exp Pad 21-0111 |
PCN Obsolescence | Multiple Devices 03/Dec/2009 |
PCN Design/Specification | Mold Compound 27/March/2008 |
標準包裝 | 2,500 |
類別 | 分立半導體產品 |
家庭 | FET - 單 |
系列 | PowerTrench® |
包裝 | 帶卷 (TR) |
FET 類型 | MOSFET N 通道,金屬氧化物 |
FET 功能 | 邏輯電平門 |
漏源極電壓 (Vdss) | 30V |
電流 - 連續(xù)漏極 (Id)(25° C 時) | 19A (Ta) |
不同?Id、Vgs 時的?Rds On(最大值) | 5 毫歐 @ 19A,10V |
不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值) | 3V @ 250µA |
不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg) | 56nC @ 5V |
不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss) | 3274pF @ 15V |
功率 - 最大值 | 3W |
安裝類型 | 表面貼裝 |
封裝/外殼 | 8-SOIC(0.154",3.90mm 寬)裸焊盤 |
供應商器件封裝 | 8-SOIC |
其它名稱 | FDS7060N7_NL FDS7060N7_NLTR FDS7060N7_NLTR-ND FDS7060N7TR |