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聲明：圖片僅供參考，請以實物為準！

產(chǎn)品信息

	典型關(guān)斷延遲時間	24（晶體管 1）ns，27（晶體管 2）ns
	典型接通延遲時間	12 ns
	典型柵極電荷@Vgs	11 nC @ 10 V（晶體管 1），21 nC @ 10 V（晶體管 2）
	典型輸入電容值@Vds	1250 pF @ 10 V（晶體管 2），610 pF @ 10 V（晶體管 1）
	安裝類型	表面貼裝
	寬度	3.99mm
	封裝類型	SOIC N
	尺寸	5 x 3.99 x 1.5mm
	引腳數(shù)目	8
	最低工作溫度	-55 °C
	最大功率耗散	2000 mW
	最大柵源電壓	±20 V
	最大漏源電壓	30 V
	最大漏源電阻值	0.014（晶體管 2）Ω，0.028（晶體管 1）Ω
	最大連續(xù)漏極電流	6.3（晶體管 1）A，8.6（晶體管 2）A
	最高工作溫度	+150 °C
	每片芯片元件數(shù)目	2
	類別	功率 MOSFET
	通道模式	增強
	通道類型	N
	配置	雙、雙漏極
	長度	5mm
	高度	1.5mm

手機網(wǎng)站相關(guān)詳細信息：FDS6982A
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詢價

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• *所需產(chǎn)品：
• 型號: FDS6982A 品牌: Fairchild Semiconductor 備注: MOSFET，N溝道，30V，6.3A/8.6A，SOIC8

• *聯(lián)系人：

• *聯(lián)系電話：

• *電子郵箱：

• 備注內(nèi)容：

  

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