典型關(guān)斷延遲時(shí)間 | 21(晶體管 1)ns,36(晶體管 2)ns | |
典型接通延遲時(shí)間 | 10(晶體管 1)ns,15(晶體管 2)ns | |
典型柵極電荷@Vgs | 18.5 nC @ 5 V(晶體管 2),8.5 nC @ 5 V(晶體管 1) | |
典型輸入電容值@Vds | 2085 pF V @ 10 V(晶體管 2),760 pF V @ 10 V(晶體管 1) | |
安裝類型 | 表面貼裝 | |
寬度 | 4mm | |
封裝類型 | SOIC N | |
尺寸 | 5 x 4 x 1.5mm | |
引腳數(shù)目 | 8 | |
最低工作溫度 | -55 °C | |
最大功率耗散 | 2000 mW | |
最大柵源電壓 | ±20 V | |
最大漏源電壓 | 30 V | |
最大漏源電阻值 | 0.015(晶體管 2)Ω,0.028(晶體管 1)Ω | |
最大連續(xù)漏極電流 | 6.3(晶體管 1)A,8.6(晶體管 2)A | |
最高工作溫度 | +150 °C | |
每片芯片元件數(shù)目 | 2 | |
類別 | 功率 MOSFET | |
通道模式 | 增強(qiáng) | |
通道類型 | N | |
配置 | 雙、雙漏極 | |
長(zhǎng)度 | 5mm | |
高度 | 1.5mm |