數(shù)據(jù)列表 | FDS3512 |
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產(chǎn)品相片 | 8-SOIC |
產(chǎn)品培訓(xùn)模塊 | High Voltage Switches for Power Processing |
PCN Design/Specification | Mold Compound 12/Dec/2007 |
標(biāo)準(zhǔn)包裝 | 2,500 |
類別 | 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 |
家庭 | FET - 單 |
系列 | PowerTrench® |
包裝 | 帶卷 (TR) |
FET 類型 | MOSFET N 通道,金屬氧化物 |
FET 功能 | 邏輯電平門 |
漏源極電壓 (Vdss) | 80V |
電流 - 連續(xù)漏極 (Id)(25° C 時) | 4A |
不同?Id、Vgs 時的?Rds On(最大值) | 70 毫歐 @ 4A,10V |
不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值) | 4V @ 250µA |
不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg) | 18nC @ 10V |
不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss) | 634pF @ 40V |
功率 - 最大值 | 1W |
安裝類型 | 表面貼裝 |
封裝/外殼 | 8-SOIC(0.154",3.90mm 寬) |
供應(yīng)商器件封裝 | 8-SOIC |
其它名稱 | FDS3512-ND FDS3512TR |