數(shù)據(jù)列表 | FDP(F)8N50NZU |
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產(chǎn)品相片 | TO-220AB |
PCN Assembly/Origin | Wafer Fabrication 04/Feb/2013 |
標準包裝 | 50 |
類別 | 分立半導體產(chǎn)品 |
家庭 | FET - 單 |
系列 | UniFET-II™ |
包裝 | 管件 |
FET 類型 | MOSFET N 通道,金屬氧化物 |
FET 功能 | 標準 |
漏源極電壓 (Vdss) | 500V |
電流 - 連續(xù)漏極 (Id)(25° C 時) | 6.5A (Tc) |
不同?Id、Vgs 時的?Rds On(最大值) | 1.2 歐姆 @ 4A,10V |
不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值) | 5V @ 250µA |
不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg) | 18nC @ 10V |
不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss) | 735pF @ 25V |
功率 - 最大值 | 40W |
安裝類型 | 通孔 |
封裝/外殼 | TO-220-3 整包 |
供應商器件封裝 | TO-220F |
產(chǎn)品目錄頁面 | 1608 (CN2011-ZH PDF) |