典型關(guān)斷延遲時(shí)間 | 19 ns | |
典型接通延遲時(shí)間 | 6.7 ns | |
典型柵極電荷@Vgs | 16 nC V @ 10 | |
典型輸入電容值@Vds | 979 pF V @ 50 | |
安裝類(lèi)型 | 表面貼裝 | |
寬度 | 6mm | |
封裝類(lèi)型 | PQFN | |
尺寸 | 5 x 6 x 1.05mm | |
引腳數(shù)目 | 8 | |
最低工作溫度 | -55 °C | |
最大功率耗散 | 69 W | |
最大柵源電壓 | ±20 V | |
最大漏源電壓 | 100 V | |
最大漏源電阻值 | 31.2 mΩ | |
最大連續(xù)漏極電流 | 37 A | |
最高工作溫度 | +150 °C | |
每片芯片元件數(shù)目 | 1 | |
類(lèi)別 | 功率 MOSFET | |
通道模式 | 增強(qiáng) | |
通道類(lèi)型 | N | |
配置 | 四漏極、三源 | |
長(zhǎng)度 | 5mm | |
高度 | 1.05mm |