典型關斷延遲時間 | 19(晶體管 1)ns,38(晶體管 2)ns | |
典型接通延遲時間 | 13(晶體管 2)ns,7.9(晶體管 1)ns | |
典型柵極電荷@Vgs | 19 nC V @ 0 → 10(晶體管 1),59 nC V@0 → 10(晶體管 2) | |
典型輸入電容值@Vds | 1264 pF @ 13 V(晶體管 1),4042 pF @ 13 V(晶體管 2) | |
安裝類型 | 表面貼裝 | |
寬度 | 6mm | |
封裝類型 | Power 56 | |
尺寸 | 5 x 6 x 1.05mm | |
引腳數(shù)目 | 8 | |
最低工作溫度 | -55 °C | |
最大功率耗散 | 2.2(晶體管 1)W,2.5(晶體管 2)W | |
最大柵源電壓 | ±20 V | |
最大漏源電壓 | 25 V | |
最大漏源電阻值 | 2.7(晶體管 2)mΩ,8.7(晶體管 1)mΩ | |
最大連續(xù)漏極電流 | 155(晶體管 2)A,65(晶體管 1)A | |
最高工作溫度 | +150 °C | |
每片芯片元件數(shù)目 | 2 | |
類別 | 功率 MOSFET | |
通道模式 | 增強 | |
通道類型 | N | |
配置 | 三漏極 | |
長度 | 5mm | |
高度 | 1.05mm |