FDMQ820,FDMQ820|Fairchild Semiconductor代理分銷-FDMQ820原裝現(xiàn)貨,PDF下載
PDF查詢| 典型關斷延遲時間 | 22（晶體管 2 和 3）ns，7.5（晶體管 1 和 4）ns | |
| 典型接通延遲時間 | 3.8（晶體管 1 和 4）ns，4.7（晶體管 2 和 3）ns | |
| 典型柵極電荷@Vgs | 13 nC V @ 0 → -10（晶體管 2 和 3），2.9 nC V @ 0 → 10（晶體管 1 和 4） | |
| 典型輸入電容值@Vds | 158 pF @ 50 V（晶體管 1 和 4），639 pF @ -40 V（晶體管 2 和 3） | |
| 安裝類型 | 表面貼裝 | |
| 寬度 | 4.5mm | |
| 封裝類型 | MLP | |
| 尺寸 | 5 x 4.5 x 0.75mm | |
| 引腳數(shù)目 | 12 | |
| 最低工作溫度 | -55 °C | |
| 最大功率耗散 | 2.5 W | |
| 最大柵源電壓 | ±20 V | |
| 最大漏源電壓 | 100（晶體管 1 和 4）V，-80（晶體管 2 和 3）V | |
| 最大漏源電阻值 | 191（晶體管 1 和 4）mΩ，323（晶體管 2 和 3）mΩ | |
| 最大連續(xù)漏極電流 | 10（晶體管 1 和 4）A，-10（晶體管 2 和 3）A | |
| 最高工作溫度 | +150 °C | |
| 每片芯片元件數(shù)目 | 4 | |
| 類別 | 功率 MOSFET | |
| 通道模式 | 增強 | |
| 通道類型 | N，P | |
| 配置 | 四漏極 | |
| 長度 | 5mm | |
| 高度 | 0.75mm |
