典型關斷延遲時間 | 14(N 通道)ns,37(P 通道)ns | |
典型接通延遲時間 | 13(P 通道)ns,8(N 通道)ns | |
典型柵極電荷@Vgs | 4 nC @ 4.5 V(N 溝道),7 nC @ 4.5 V(P 溝道) | |
典型輸入電容值@Vds | 340 pF @ 10 V(N 溝道),540 pF @ 10 V(P 溝道) | |
安裝類型 | 表面貼裝 | |
寬度 | 2mm | |
封裝類型 | MicroFET | |
尺寸 | 2 x 2 x 0.75mm | |
引腳數目 | 6 | |
最低工作溫度 | -55 °C | |
最大功率耗散 | 1400 mW | |
最大柵源電壓 | ±12 V | |
最大漏源電壓 | 20 V | |
最大漏源電阻值 | 0.068(N 通道)Ω,0.095(P 通道)Ω | |
最大連續(xù)漏極電流 | 3.1(P 通道)A,3.7(N 通道)A | |
最高工作溫度 | +150 °C | |
每片芯片元件數目 | 2 | |
類別 | 功率 MOSFET | |
通道模式 | 增強 | |
通道類型 | N,P | |
配置 | 雙 | |
長度 | 2mm | |
高度 | 0.75mm |