典型關(guān)斷延遲時(shí)間 | 6(晶體管 2)ns,9(晶體管 1)ns | |
典型接通延遲時(shí)間 | 5(晶體管 1)ns,5.5(晶體管 2)ns | |
典型柵極電荷@Vgs | 1.1 nC V @ 4.5(晶體管 1),1.4 nC V @ -4.5(晶體管 2) | |
典型輸入電容值@Vds | 113 pF @ 10 V(晶體管 1),114 pF @ -10 V(晶體管 2) | |
安裝類型 | 表面貼裝 | |
寬度 | 1.25mm | |
封裝類型 | SC-70 | |
尺寸 | 2 x 1.25 x 1mm | |
引腳數(shù)目 | 6 | |
最低工作溫度 | -55 °C | |
最大功率耗散 | 0.3 W | |
最大柵源電壓 | ±12 V | |
最大漏源電壓 | 20(N 溝道)V、-20(P 溝道)V | |
最大漏源電阻值 | 442(晶體管 1)mΩ,700(晶體管 2)mΩ | |
最大連續(xù)漏極電流 | -0.6(P 溝道)A,0.7(N 溝道)A | |
最高工作溫度 | +150 °C | |
每片芯片元件數(shù)目 | 2 | |
類別 | 功率 MOSFET | |
通道模式 | 增強(qiáng) | |
通道類型 | N,P | |
配置 | 雙漏極 | |
長(zhǎng)度 | 2mm | |
高度 | 1mm |