數據列表 | FDG6303N |
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產品相片 | SOT-363 PKG |
產品培訓模塊 | High Voltage Switches for Power Processing |
PCN Design/Specification | Mold Compound 12/Dec/2007 Mold Compound 07/May/2008 |
標準包裝 | 3,000 |
類別 | 分立半導體產品 |
家庭 | FET - 陣列 |
系列 | - |
包裝 | 帶卷 (TR) |
FET 類型 | 2 個 N 溝道(雙) |
FET 功能 | 邏輯電平門 |
漏源極電壓 (Vdss) | 25V |
電流 - 連續(xù)漏極 (Id)(25° C 時) | 500mA |
不同?Id、Vgs 時的?Rds On(最大值) | 450 毫歐 @ 500mA,4.5V |
不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值) | 1.5V @ 250µA |
不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg) | 2.3nC @ 4.5V |
不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss) | 50pF @ 10V |
功率 - 最大值 | 300mW |
安裝類型 | 表面貼裝 |
封裝/外殼 | 6-TSSOP,SC-88,SOT-363 |
供應商器件封裝 | SC-70-6 |
產品目錄頁面 | 1216 (CN2011-ZH PDF) |
其它名稱 | FDG6303NTR |