型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
FDFS2P102 [更多] | ON Semiconductor | MOSFET Integrated P-Channel RoHS: Compliant | 搜索 |
FDFS2P102_Q [更多] | ON Semiconductor | MOSFET Integrated P-Channel RoHS: Not compliant | 搜索 |
FDFS2P102A [更多] | ON Semiconductor | MOSFET P-Ch PowerTrench Integrated RoHS: Compliant | 搜索 |
FDFS2P102A_NL [更多] | ON Semiconductor | MOSFET 20V/20V 125/200MO SO8 500A GOX, PTII RoHS: Compliant | 搜索 |
型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
FDFS2P102 [更多] | Fairchild Semiconductor Corporation |
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FDFS2P102A [更多] | Fairchild Semiconductor Corporation |
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FDFS2P102A [更多] | Rochester Electronics LLC |
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FDFS2P102A_Q [更多] | Rochester Electronics LLC |
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型号 | 制造商 | 描述 | 库存 | 起订量 | 参考单价 (含税) | 货期 (工作日) | 操作 |
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數(shù)據(jù)列表 | FDFS2P102 |
---|---|
產(chǎn)品相片 | 8-SOIC |
標(biāo)準(zhǔn)包裝 | 2,500 |
類(lèi)別 | 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 |
家庭 | FET - 單 |
系列 | - |
包裝 | 帶卷 (TR) |
FET 類(lèi)型 | MOSFET P 通道,金屬氧化物 |
FET 功能 | 二極管(隔離式) |
漏源極電壓 (Vdss) | 20V |
電流 - 連續(xù)漏極 (Id)(25° C 時(shí)) | 3.3A (Ta) |
不同?Id、Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值) | 125 毫歐 @ 3.3A,10V |
不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值) | 2V @ 250µA |
不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 (Qg) | 10nC @ 10V |
不同 Vds 時(shí)的輸入電容 (Ciss) | 270pF @ 10V |
功率 - 最大值 | 900mW |
安裝類(lèi)型 | 表面貼裝 |
封裝/外殼 | 8-SOIC(0.154",3.90mm 寬) |
供應(yīng)商器件封裝 | 8-SOIC N |
其它名稱(chēng) | FDFS2P102_NL FDFS2P102_NLTR FDFS2P102_NLTR-ND FDFS2P102TR |