型号 | 制造商 | 描述 | 库存 | 起订量 | 参考单价 (含税) | 货期 (工作日) | 操作 |
查看库存、价格及货期 |
數(shù)據(jù)列表 | FDFMA2P859T |
---|---|
產(chǎn)品相片 | PowerTrench Series 6-WDFN |
標(biāo)準(zhǔn)包裝 | 3,000 |
類別 | 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 |
家庭 | FET - 單 |
系列 | PowerTrench® |
包裝 | 帶卷 (TR) |
FET 類型 | MOSFET P 通道,金屬氧化物 |
FET 功能 | 二極管(隔離式) |
漏源極電壓 (Vdss) | 20V |
電流 - 連續(xù)漏極 (Id)(25° C 時) | 3A (Ta) |
不同?Id、Vgs 時的?Rds On(最大值) | 120 毫歐 @ 3A,4.5V |
不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值) | 1.3V @ 250µA |
不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg) | 6nC @ 4.5V |
不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss) | 435pF @ 10V |
功率 - 最大值 | 700mW |
安裝類型 | 表面貼裝 |
封裝/外殼 | 6-WDFN 裸露焊盤 |
供應(yīng)商器件封裝 | 6-MicroFET(2x5) |
產(chǎn)品目錄頁面 | 1609 (CN2011-ZH PDF) |
其它名稱 | FDFMA2P859TTR |