數(shù)據(jù)列表 | FDD5N50F |
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產(chǎn)品相片 | TO-263 |
PCN Obsolescence | Multiple Devices 14/Mar/2011 |
標(biāo)準包裝 | 2,500 |
類別 | 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 |
家庭 | FET - 單 |
系列 | UniFET™ |
包裝 | 帶卷 (TR) |
FET 類型 | MOSFET N 通道,金屬氧化物 |
FET 功能 | 標(biāo)準 |
漏源極電壓 (Vdss) | 500V |
電流 - 連續(xù)漏極 (Id)(25° C 時) | 3.5A (Tc) |
不同?Id、Vgs 時的?Rds On(最大值) | 1.55 歐姆 @ 1.75A,10V |
不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值) | 5V @ 250µA |
不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg) | 15nC @ 10V |
不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss) | 650pF @ 25V |
功率 - 最大值 | 40W |
安裝類型 | 表面貼裝 |
封裝/外殼 | TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63 |
供應(yīng)商器件封裝 | D-Pak |
其它名稱 | FDD5N50FTM_WS-ND FDD5N50FTM_WSTR |