典型關(guān)斷延遲時間 | 11(P 通道)ns,19(N 通道)ns | |
典型接通延遲時間 | 4.5 ns | |
典型柵極電荷@Vgs | 4.1 nC @ -10 V(P 溝道),4.7 nC @ 10 V(N 溝道) | |
典型輸入電容值@Vds | 185 pF @ -15 V(P 溝道),282 pF @ 15 V(N 溝道) | |
安裝類型 | 表面貼裝 | |
寬度 | 1.7mm | |
封裝類型 | SuperSOT6 | |
尺寸 | 3 x 1.7 x 1mm | |
引腳數(shù)目 | 6 | |
最低工作溫度 | -55 °C | |
最大功率耗散 | 0.96 W | |
最大柵源電壓 | ±16(N 通道)V,±25(P 通道)V | |
最大漏源電壓 | 30(N 通道)V,-30(P 通道)V | |
最大漏源電阻值 | 150(N 通道)mΩ,220(P 通道)mΩ | |
最大連續(xù)漏極電流 | -2(P 通道)A,2.5(N 通道)A | |
最高工作溫度 | +150 °C | |
每片芯片元件數(shù)目 | 2 | |
類別 | 功率 MOSFET | |
通道模式 | 增強 | |
通道類型 | N,P | |
配置 | 雙 | |
長度 | 3mm | |
高度 | 1mm |