數(shù)據(jù)列表 | EPC2010 |
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產(chǎn)品相片 | EPC2010 |
應用說明 | Second Generation eGaN® FETs Assembling eGaN® FETS Using eGaN® FETs |
產(chǎn)品培訓模塊 | Paralleling eGaN? FETs |
產(chǎn)品變化通告 | EPC20xx Material Change 10/Apr/2013 |
視頻文件 | EPC eGaN FETs -- Another Geek Moment | DigiKey |
標準包裝 | 500 |
類別 | 分立半導體產(chǎn)品 |
家庭 | FET - 單 |
系列 | eGaN® |
包裝 | 帶卷 (TR) |
FET 類型 | GaNFET N 通道,氮化鎵 |
FET 功能 | 邏輯電平門 |
漏源極電壓 (Vdss) | 200V |
電流 - 連續(xù)漏極 (Id)(25° C 時) | 12A (Ta) |
不同?Id、Vgs 時的?Rds On(最大值) | 25 毫歐 @ 6A,5V |
不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值) | 2.5V @ 3mA |
不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg) | 5nC @ 5V |
不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss) | 480pF @ 100V |
功率 - 最大值 | - |
安裝類型 | 表面貼裝 |
封裝/外殼 | 7-SMD,凸引線 |
供應商器件封裝 | 7-LGA(3.6x1.6) |
配用 | |
其它名稱 | 917-1016-2 |