數(shù)據(jù)列表 | EPC1013 |
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產(chǎn)品相片 | EPC1012 |
應(yīng)用說(shuō)明 | Thermal Performance of eGaN® FETs Assembling eGaN® FETS Using eGaN® FETs |
產(chǎn)品變化通告 | EPC1xxx Series Obsolescence 09/Sept/2011 |
視頻文件 | EPC eGaN FETs -- Another Geek Moment | DigiKey |
RoHS指令信息 | Lead Free/RoHS Statement |
標(biāo)準(zhǔn)包裝 | 500 |
類別 | 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 |
家庭 | FET - 單 |
系列 | eGaN® |
包裝 | 帶卷 (TR) |
FET 類型 | GaNFET N 通道,氮化鎵 |
FET 功能 | 邏輯電平門 |
漏源極電壓 (Vdss) | 150V |
電流 - 連續(xù)漏極 (Id)(25° C 時(shí)) | 3A (Ta) |
不同?Id、Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值) | 100 毫歐 @ 5A,5V |
不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值) | 2.5V @ 1mA |
不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 (Qg) | 1.7nC @ 5V |
不同 Vds 時(shí)的輸入電容 (Ciss) | 110pF @ 75V |
功率 - 最大值 | - |
安裝類型 | 表面貼裝 |
封裝/外殼 | 4-LGA |
供應(yīng)商器件封裝 | 4-LGA(1.7x0.9) |
產(chǎn)品目錄頁(yè)面 | 1599 (CN2011-ZH PDF) |
其它名稱 | 917-1007-2 |