數據列表 | EPC1012 |
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產品相片 | EPC1012 |
應用說明 | Second Generation eGaN® FETs Thermal Performance of eGaN® FETs Assembling eGaN® FETS Using eGaN® FETs |
產品變化通告 | EPC1xxx Series Obsolescence 09/Sept/2011 |
視頻文件 | EPC eGaN FETs -- Another Geek Moment | DigiKey |
RoHS指令信息 | Lead Free/RoHS Statement |
標準包裝 | 1,000 |
類別 | 分立半導體產品 |
家庭 | FET - 單 |
系列 | eGaN® |
包裝 | 帶卷 (TR) |
FET 類型 | GaNFET N 通道,氮化鎵 |
FET 功能 | 邏輯電平門 |
漏源極電壓 (Vdss) | 200V |
電流 - 連續(xù)漏極 (Id)(25° C 時) | 3A (Ta) |
不同?Id、Vgs 時的?Rds On(最大值) | 100 毫歐 @ 5A,5V |
不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值) | 2.5V @ 1mA |
不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg) | 1.9nC @ 5V |
不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss) | 110pF @ 100V |
功率 - 最大值 | - |
安裝類型 | 表面貼裝 |
封裝/外殼 | 4-LGA |
供應商器件封裝 | 4-LGA(1.7x0.9) |
產品目錄頁面 | 1599 (CN2011-ZH PDF) |
其它名稱 | 917-1006-2 |