數(shù)據(jù)列表 | DMP10H400SK3 |
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產(chǎn)品相片 | TO252-3L |
PCN Design/Specification | Wafer Site/Bond Wire 8/Apr/2013 |
標(biāo)準(zhǔn)包裝 | 2,500 |
類(lèi)別 | 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 |
家庭 | FET - 單 |
系列 | - |
包裝 | 帶卷 (TR) |
FET 類(lèi)型 | MOSFET P 通道,金屬氧化物 |
FET 功能 | 邏輯電平門(mén) |
漏源極電壓 (Vdss) | 100V |
電流 - 連續(xù)漏極 (Id)(25° C 時(shí)) | 9A (Ta) |
不同?Id、Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值) | 240 毫歐 @ 5A,10V |
不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值) | 3V @ 250µA |
不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 (Qg) | 17.5nC @ 10V |
不同 Vds 時(shí)的輸入電容 (Ciss) | 1239pF @ 25V |
功率 - 最大值 | 42W |
安裝類(lèi)型 | 表面貼裝 |
封裝/外殼 | TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63 |
供應(yīng)商器件封裝 | TO-252 |
其它名稱(chēng) | DMP10H400SK3-13DITR DMP10H400SK313 |