數據列表 | DMN65D8LFB |
---|---|
產品相片 | SBR 3-DFN |
標準包裝 | 10,000 |
類別 | 分立半導體產品 |
家庭 | FET - 單 |
系列 | - |
包裝 | 帶卷 (TR) |
FET 類型 | MOSFET N 通道,金屬氧化物 |
FET 功能 | 邏輯電平門 |
漏源極電壓 (Vdss) | 60V |
電流 - 連續(xù)漏極 (Id)(25° C 時) | 260mA (Ta) |
不同?Id、Vgs 時的?Rds On(最大值) | 3 歐姆 @ 115mA,10V |
不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值) | 2V @ 250µA |
不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg) | - |
不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss) | 25pF @ 25V |
功率 - 最大值 | 430mW |
安裝類型 | 表面貼裝 |
封裝/外殼 | 3-XFDFN |
供應商器件封裝 | 3-DFN1006(1.0x0.6) |
其它名稱 | DMN65D8LFB-7BDITR DMN65D8LFB7B |