數(shù)據(jù)列表 | DMN65D8LDW |
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PCN Other | Multiple Device Changes 29/Apr/2013 |
標準包裝 | 3,000 |
類別 | 分立半導體產(chǎn)品 |
家庭 | FET - 陣列 |
系列 | - |
包裝 | 帶卷 (TR) |
FET 類型 | 2 個 N 溝道(雙) |
FET 功能 | 邏輯電平門 |
漏源極電壓 (Vdss) | 60V |
電流 - 連續(xù)漏極 (Id)(25° C 時) | 180mA |
不同?Id、Vgs 時的?Rds On(最大值) | 6 歐姆 @ 115mA,10V |
不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值) | 2V @ 250µA |
不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg) | 0.87nC @ 10V |
不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss) | 22pF @ 25V |
功率 - 最大值 | 300mW |
安裝類型 | 表面貼裝 |
封裝/外殼 | 6-TSSOP,SC-88,SOT-363 |
供應(yīng)商器件封裝 | SOT-363 |
其它名稱 | DMN65D8LDW-7DITR DMN65D8LDW7 |