數(shù)據(jù)列表 | DMN62D0SFD |
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標準包裝 | 3,000 |
類別 | 分立半導體產(chǎn)品 |
家庭 | FET - 單 |
系列 | - |
包裝 | 帶卷 (TR) |
FET 類型 | MOSFET N 通道,金屬氧化物 |
FET 功能 | 邏輯電平門 |
漏源極電壓 (Vdss) | 60V |
電流 - 連續(xù)漏極 (Id)(25° C 時) | 540mA (Ta) |
不同?Id、Vgs 時的?Rds On(最大值) | 2 歐姆 @ 500mA,10V |
不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值) | 2.5V @ 1mA |
不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg) | 0.87nC @ 10V |
不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss) | 30.2pF @ 25V |
功率 - 最大值 | 430mW |
安裝類型 | 表面貼裝 |
封裝/外殼 | 3-UDFN |
供應商器件封裝 | 3-X1DFN1212 |
其它名稱 | DMN62D0SFD-7DITR DMN62D0SFD7 |