型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
DMN4036LK3-13 [更多] | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 40V 8.5A DPAK RoHS: Compliant | pbFree: Yes | 搜索 查看资料 |
DMN4036LK3-13 [更多] | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 40V 8.5A DPAK RoHS: Compliant | pbFree: Yes | 搜索 查看资料 |
DMN4036LK3-13 [更多] | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 40V 8.5A DPAK RoHS: Compliant | pbFree: Yes | 搜索 查看资料 |
型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
DMN4036LK3-13 [更多] | Diodes Incorporated | MOSFET ENHANCE MODE MOSFET 40V N-CHANNEL RoHS: Compliant | 搜索 |
型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
DMN4036LK3-13 [更多] | Diodes Incorporated | Trans MOSFET N-CH 40V 12.2A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R - Tape and Reel (Alt: DMN4036LK3-13) RoHS: Not Compliant | 搜索 |
型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
DMN4036LK3-13 [更多] | Diodes Incorporated | Trans MOSFET N-CH 40V 12.2A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
| 搜索 |
型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
DMN4036LK3-13 [更多] | Zetex / Diodes Inc | Trans MOSFET N-CH 40V 12.2A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R RoHS: Compliant | 搜索 |
型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
DMN4036LK3-13 [更多] | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 40V,36mohms 8.5A,DPAK RoHS: Compliant | pbFree: Yes | 搜索 |
型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
DMN4036LK3-13 [更多] | Diodes Incorporated | MOSFET N-Channel 40V 12.2A TO252 RoHS: Compliant | 搜索 查看资料 |
型号 | 制造商 | 描述 | 库存 | 起订量 | 参考单价 (含税) | 货期 (工作日) | 操作 |
查看库存、价格及货期 |
参考图片 | 制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名 | 操作 | |
![]() | Diodes Incorporated MOSFET N-CH 40V 8.5A DPAK 详细描述:表面贴装 N 沟道 8.5A(Ta) 2.12W(Ta) TO-252-3 型号:DMN4036LK3-13 仓库库存编号:DMN4036LK3-13DICT-ND 别名:DMN4036LK3-13DICT | 无铅 | 搜索 |
产品描述 / 参考图片 | 制造商零件编号 / 制造商 / 库存编号 | 操作 | ||
| 制造商零件编号: DMN4036LK3-13 品牌: DiodesZetex 库存编号: 751-4199 | 查看其他仓库 |
参考图片 | 制造商 / 说明 / 型号 / 仓库库存编号 | 操作 | |
![]() | Diodes Inc MOSFET N-Channel 40V 12.2A TO252 型号:DMN4036LK3-13 仓库库存编号:70438089 | ![]() | 搜索 |
典型關(guān)斷延遲時(shí)間 | 11.6 ns | |
典型接通延遲時(shí)間 | 3.2 ns | |
典型柵極電荷@Vgs | 9.2 nC V @ 10 | |
典型輸入電容值@Vds | 453 pF V @ 20 | |
安裝類型 | 表面貼裝 | |
寬度 | 6.22mm | |
封裝類型 | TO-252-3L | |
尺寸 | 6.73 x 6.22 x 2.39mm | |
引腳數(shù)目 | 3 | |
最低工作溫度 | -55 °C | |
最大功率耗散 | 8.49 W | |
最大柵源電壓 | ±20 V | |
最大漏源電壓 | 40 V | |
最大漏源電阻值 | 0.061 Ω | |
最大連續(xù)漏極電流 | 12.2 A | |
最高工作溫度 | +150 °C | |
每片芯片元件數(shù)目 | 1 | |
類別 | 功率 MOSFET | |
通道模式 | 增強(qiáng) | |
通道類型 | N | |
長(zhǎng)度 | 6.73mm | |
高度 | 2.39mm |