數(shù)據(jù)列表 | DMN32D2LFB4 |
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產(chǎn)品相片 | SBR 3-DFN |
其它圖紙 | DFN1006H4-3 Side DFN1006H4-3 Bottom |
PCN Design/Specification | Bond Wire 11/Nov/2011 |
標(biāo)準(zhǔn)包裝 | 3,000 |
類別 | 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 |
家庭 | FET - 單 |
系列 | - |
包裝 | 帶卷 (TR) |
FET 類型 | MOSFET N 通道,金屬氧化物 |
FET 功能 | 邏輯電平門 |
漏源極電壓 (Vdss) | 30V |
電流 - 連續(xù)漏極 (Id)(25° C 時(shí)) | 300mA (Ta) |
不同?Id、Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值) | 1.2 歐姆 @ 100mA,4V |
不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值) | 1.2V @ 250µA |
不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 (Qg) | - |
不同 Vds 時(shí)的輸入電容 (Ciss) | 39pF @ 3V |
功率 - 最大值 | 350mW |
安裝類型 | 表面貼裝 |
封裝/外殼 | 3-XFDFN |
供應(yīng)商器件封裝 | 3-DFN1006H4(1.0x0.6) |
產(chǎn)品目錄頁(yè)面 | 1577 (CN2011-ZH PDF) |
其它名稱 | DMN32D2LFB47 DMN32D2LFB4DITR |