數(shù)據(jù)列表 | DMN3025LFG |
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PCN Design/Specification | Wafer Site/Bond Wire 8/Apr/2013 |
標準包裝 | 2,000 |
類別 | 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 |
家庭 | FET - 單 |
系列 | - |
包裝 | 帶卷 (TR) |
FET 類型 | MOSFET N 通道,金屬氧化物 |
FET 功能 | 邏輯電平門 |
漏源極電壓 (Vdss) | 30V |
電流 - 連續(xù)漏極 (Id)(25° C 時) | 7.5A (Ta) |
不同?Id、Vgs 時的?Rds On(最大值) | 18 毫歐 @ 7.8A,10V |
不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值) | 2V @ 250µA |
不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg) | 11.6nC @ 10V |
不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss) | 605pF @ 15V |
功率 - 最大值 | 2W |
安裝類型 | 表面貼裝 |
封裝/外殼 | 8-PowerVDFN |
供應(yīng)商器件封裝 | PowerDI3333-8 |
其它名稱 | DMN3025LFG-7TR DMN3025LFG7 |