數(shù)據(jù)列表 | DMN3024LK3 |
---|---|
產(chǎn)品相片 | TO-263 |
PCN Design/Specification | Wafer Site/Bond Wire 8/Apr/2013 |
標(biāo)準(zhǔn)包裝 | 2,500 |
類別 | 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 |
家庭 | FET - 單 |
系列 | - |
包裝 | 帶卷 (TR) |
FET 類型 | MOSFET N 通道,金屬氧化物 |
FET 功能 | 邏輯電平門 |
漏源極電壓 (Vdss) | 30V |
電流 - 連續(xù)漏極 (Id)(25° C 時(shí)) | 9.78A (Ta) |
不同?Id、Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值) | 24 毫歐 @ 7A,10V |
不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值) | 3V @ 250µA |
不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 (Qg) | 12.9nC @ 10V |
不同 Vds 時(shí)的輸入電容 (Ciss) | 608pF @ 15V |
功率 - 最大值 | 2.17W |
安裝類型 | 表面貼裝 |
封裝/外殼 | TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63 |
供應(yīng)商器件封裝 | TO-252-3 |
其它名稱 | DMN3024LK3-13DITR DMN3024LK313 |