數據列表 | DMN2005K |
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產品相片 | SOT23 |
PCN Design/Specification | Green Encapsulate 15/May/2008 |
標準包裝 | 3,000 |
類別 | 分立半導體產品 |
家庭 | FET - 單 |
系列 | - |
包裝 | 帶卷 (TR) |
FET 類型 | MOSFET N 通道,金屬氧化物 |
FET 功能 | 邏輯電平門 |
漏源極電壓 (Vdss) | 20V |
電流 - 連續(xù)漏極 (Id)(25° C 時) | 300mA |
不同?Id、Vgs 時的?Rds On(最大值) | 1.7 歐姆 @ 200mA,2.7V |
不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值) | 900mV @ 100µA |
不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg) | - |
不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss) | - |
功率 - 最大值 | 350mW |
安裝類型 | 表面貼裝 |
封裝/外殼 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
供應商器件封裝 | SOT-23-3 |
其它名稱 | DMN2005K-7-ND DMN2005K7 |