數(shù)據(jù)列表 | DMG8822UTS |
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產(chǎn)品相片 | 8-TSSOP |
PCN Design/Specification | Bond Wire 11/Nov/2011 |
標(biāo)準(zhǔn)包裝 | 2,500 |
類(lèi)別 | 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 |
家庭 | FET - 陣列 |
系列 | - |
包裝 | 帶卷 (TR) |
FET 類(lèi)型 | 2 個(gè) N 溝道(雙) |
FET 功能 | 邏輯電平門(mén) |
漏源極電壓 (Vdss) | 20V |
電流 - 連續(xù)漏極 (Id)(25° C 時(shí)) | 4.9A |
不同?Id、Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值) | 25 毫歐 @ 8.2A,4.5V |
不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值) | 900mV @ 250µA |
不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 (Qg) | 9.6nC @ 4.5V |
不同 Vds 時(shí)的輸入電容 (Ciss) | 841pF @ 10V |
功率 - 最大值 | 870mW |
安裝類(lèi)型 | 表面貼裝 |
封裝/外殼 | 8-TSSOP(0.173",4.40mm 寬) |
供應(yīng)商器件封裝 | 8-TSSOP |
產(chǎn)品目錄頁(yè)面 | 1577 (CN2011-ZH PDF) |
其它名稱(chēng) | DMG8822UTS-13DITR DMG8822UTS13 |