數(shù)據(jù)列表 | DMG6602SVT |
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產(chǎn)品相片 | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
標準包裝 | 3,000 |
類別 | 分立半導體產(chǎn)品 |
家庭 | FET - 陣列 |
系列 | - |
包裝 | 帶卷 (TR) |
FET 類型 | N 和 P 溝道 |
FET 功能 | 邏輯電平門 |
漏源極電壓 (Vdss) | 30V |
電流 - 連續(xù)漏極 (Id)(25° C 時) | 3.4A,2.8A |
不同?Id、Vgs 時的?Rds On(最大值) | 60 毫歐 @ 3.1A,10V |
不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值) | 3V @ 250µA |
不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg) | 13nC @ 10V |
不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss) | 400pF @ 15V |
功率 - 最大值 | 1.12W |
安裝類型 | 表面貼裝 |
封裝/外殼 | SOT-23-6 細型,TSOT-23-6 |
供應商器件封裝 | TSOT-23-6 |
其它名稱 | DMG6602SVT-7DITR DMG6602SVT7 |