數(shù)據(jù)列表 | DMG6601LVT |
---|---|
產(chǎn)品相片 | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
標準包裝 | 3,000 |
類別 | 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 |
家庭 | FET - 陣列 |
系列 | - |
包裝 | 帶卷 (TR) |
FET 類型 | N 和 P 溝道 |
FET 功能 | 邏輯電平門 |
漏源極電壓 (Vdss) | 30V |
電流 - 連續(xù)漏極 (Id)(25° C 時) | 3.8A,2.5A |
不同?Id、Vgs 時的?Rds On(最大值) | 55 毫歐 @ 3.4A,10V |
不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值) | 1.5V @ 250µA |
不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg) | 12.3nC @ 10V |
不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss) | 422pF @ 15V |
功率 - 最大值 | 850mW |
安裝類型 | 表面貼裝 |
封裝/外殼 | SOT-23-6 細型,TSOT-23-6 |
供應(yīng)商器件封裝 | 26-TSOT |
其它名稱 | DMG6601LVT-7DITR DMG6601LVT7 |