數(shù)據(jù)列表 | DMG5802LFX |
---|---|
PCN Design/Specification | Bond Wire 11/Nov/2011 |
標(biāo)準(zhǔn)包裝 | 3,000 |
類別 | 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 |
家庭 | FET - 陣列 |
系列 | - |
包裝 | 帶卷 (TR) |
FET 類型 | 2 個 N 溝道(雙) |
FET 功能 | 邏輯電平門 |
漏源極電壓 (Vdss) | 24V |
電流 - 連續(xù)漏極 (Id)(25° C 時) | 6.5A |
不同?Id、Vgs 時的?Rds On(最大值) | 15 毫歐 @ 6.5A,4.5V |
不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值) | 1.5V @ 250µA |
不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg) | 31.3nC @ 10V |
不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss) | 1066.4pF @ 15V |
功率 - 最大值 | 980mW |
安裝類型 | 表面貼裝 |
封裝/外殼 | 6-VFDFN 裸露焊盤 |
供應(yīng)商器件封裝 | 6-DFN5020(5x2) |
其它名稱 | DMG5802LFX-7DITR DMG5802LFX7 |