DMG4N65CTI,DMG4N65CTI|Diodes Inc代理分銷-DMG4N65CTI原裝現(xiàn)貨,PDF下載
| 型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
| DMG4N65CTI [更多] | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 650V 4A ITO-220AB RoHS: Compliant | pbFree: No | 搜索 查看资料 |
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| DMG4N65CTI [更多] | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH MOSFET 650V 4A RoHS: Compliant | 搜索 |
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| DMG4N65CTI [更多] | Diodes Incorporated | Trans MOSFET N-CH 650V 4A 3-Pin ITO220-AB Tube - Rail/Tube (Alt: DMG4N65CTI) RoHS: Not Compliant | 搜索 |
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PDF查詢| 數(shù)據(jù)列表 | DMG4N65CTI |
|---|---|
| 產(chǎn)品相片 | AOT3N50 |
| 標(biāo)準(zhǔn)包裝 | 50 |
| 類別 | 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 |
| 家庭 | FET - 單 |
| 系列 | - |
| 包裝 | 管件 |
| FET 類型 | MOSFET N 通道，金屬氧化物 |
| FET 功能 | 標(biāo)準(zhǔn) |
| 漏源極電壓 (Vdss) | 650V |
| 電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25° C 時(shí)） | 4A （Tc） |
| 不同?Id、Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值） | 3 歐姆 @ 2A，10V |
| 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大值） | 5V @ 250µA |
| 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 (Qg) | 13.5nC @ 10V |
| 不同 Vds 時(shí)的輸入電容 (Ciss) | 900pF @ 25V |
| 功率 - 最大值 | 8.35W |
| 安裝類型 | 通孔 |
| 封裝/外殼 | TO-220-3 |
| 供應(yīng)商器件封裝 | TO-220AB |
| 其它名稱 | DMG4N65CTIDI |
