典型關(guān)斷延遲時(shí)間 | 160 ns | |
典型接通延遲時(shí)間 | 15 ns | |
典型柵極電荷@Vgs | 46 nC V @ -5 | |
典型輸入電容值@Vds | 4965 pF V @ -15 | |
安裝類型 | 表面貼裝 | |
寬度 | 3.95mm | |
封裝類型 | SO-8 | |
尺寸 | 4.95 x 3.95 x 1.5mm | |
引腳數(shù)目 | 8 | |
最低工作溫度 | -55 °C | |
最大功率耗散 | 2.2 W | |
最大柵源電壓 | ±20 V | |
最大漏源電壓 | -30 V | |
最大漏源電阻值 | 10.2 mΩ | |
最大連續(xù)漏極電流 | -12 A | |
最高工作溫度 | +150 °C | |
每片芯片元件數(shù)目 | 1 | |
類別 | 功率 MOSFET | |
通道模式 | 增強(qiáng) | |
通道類型 | P | |
配置 | 四漏極、三源 | |
長度 | 4.95mm | |
高度 | 1.5mm |