DMG3415UFY4-7,DMG3415UFY4-7|Diodes Inc代理分銷-DMG3415UFY47原裝現(xiàn)貨,PDF下載
PDF查詢| 數(shù)據(jù)列表 | DMG3415UFY4 |
|---|---|
| 產品相片 | DFN 2015H4-3 |
| PCN Design/Specification | Bond Wire 11/Nov/2011 |
| 標準包裝 | 3,000 |
| 類別 | 分立半導體產品 |
| 家庭 | FET - 單 |
| 系列 | - |
| 包裝 | 帶卷 (TR) |
| FET 類型 | MOSFET P 通道，金屬氧化物 |
| FET 功能 | 邏輯電平門 |
| 漏源極電壓 (Vdss) | 16V |
| 電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25° C 時） | 2.5A （Ta） |
| 不同?Id、Vgs 時的?Rds On（最大值） | 39 毫歐 @ 4A，4.5V |
| 不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值） | 1V @ 250µA |
| 不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg) | 10nC @ 4.5V |
| 不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss) | 281.9pF @ 10V |
| 功率 - 最大值 | 490mW |
| 安裝類型 | 表面貼裝 |
| 封裝/外殼 | 3-XFDFN |
| 供應商器件封裝 | DFN2015H4-3 |
| 產品目錄頁面 | 1578 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名稱 | DMG3415UFY4-7DITR DMG3415UFY47 |
