數(shù)據(jù)列表 | DMG3415U |
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產(chǎn)品相片 | SOT23 |
產(chǎn)品目錄繪圖 | SOT-23 Package Top SOT-23 Package Side 1 SOT-23 Package Side 2 |
PCN Design/Specification | Bond Wire 11/Nov/2011 |
PCN Other | Multiple Device Changes 29/Apr/2013 |
標(biāo)準(zhǔn)包裝 | 3,000 |
類別 | 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 |
家庭 | FET - 單 |
系列 | - |
包裝 | 帶卷 (TR) |
FET 類型 | MOSFET P 通道,金屬氧化物 |
FET 功能 | 邏輯電平門 |
漏源極電壓 (Vdss) | 20V |
電流 - 連續(xù)漏極 (Id)(25° C 時(shí)) | 4A (Ta) |
不同?Id、Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值) | 39 毫歐 @ 4A,4.5V |
不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值) | 1V @ 250µA |
不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 (Qg) | 9.1nC @ 4.5V |
不同 Vds 時(shí)的輸入電容 (Ciss) | 294pF @ 10V |
功率 - 最大值 | 900mW |
安裝類型 | 表面貼裝 |
封裝/外殼 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
供應(yīng)商器件封裝 | SOT-23-3 |
其它名稱 | DMG3415U7 DMG3415UDITR |