數(shù)據(jù)列表 | DMG1026UV |
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產(chǎn)品相片 | SOT-563 |
PCN Design/Specification | Bond Wire 11/Nov/2011 |
標(biāo)準(zhǔn)包裝 | 3,000 |
類(lèi)別 | 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 |
家庭 | FET - 陣列 |
系列 | - |
包裝 | 帶卷 (TR) |
FET 類(lèi)型 | 2 個(gè) N 溝道(雙) |
FET 功能 | 邏輯電平門(mén) |
漏源極電壓 (Vdss) | 60V |
電流 - 連續(xù)漏極 (Id)(25° C 時(shí)) | 410mA |
不同?Id、Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值) | 1.8 歐姆 @ 500mA,10V |
不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值) | 1.8V @ 250µA |
不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 (Qg) | 0.45nC @ 10V |
不同 Vds 時(shí)的輸入電容 (Ciss) | 32pF @ 25V |
功率 - 最大值 | 580mW |
安裝類(lèi)型 | 表面貼裝 |
封裝/外殼 | SOT-563,SOT-666 |
供應(yīng)商器件封裝 | SOT-563 |
其它名稱(chēng) | DMG1026UV-7DITR DMG1026UV7 |