數(shù)據(jù)列表 | DMG1016UDW |
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產(chǎn)品相片 | SOT-363 |
PCN Design/Specification | Bond Wire 3/May/2011 |
PCN Other | Multiple Device Changes 29/Apr/2013 |
標(biāo)準(zhǔn)包裝 | 3,000 |
類別 | 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 |
家庭 | FET - 陣列 |
系列 | - |
包裝 | 帶卷 (TR) |
FET 類型 | N 和 P 溝道 |
FET 功能 | 邏輯電平門 |
漏源極電壓 (Vdss) | 20V |
電流 - 連續(xù)漏極 (Id)(25° C 時(shí)) | 1.07A,845mA |
不同?Id、Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值) | 450 毫歐 @ 600mA,4.5V |
不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值) | 1V @ 250µA |
不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 (Qg) | 0.74nC @ 4.5V |
不同 Vds 時(shí)的輸入電容 (Ciss) | 60.67pF @ 16V |
功率 - 最大值 | 330mW |
安裝類型 | 表面貼裝 |
封裝/外殼 | 6-TSSOP,SC-88,SOT-363 |
供應(yīng)商器件封裝 | SOT-363 |
產(chǎn)品目錄頁(yè)面 | 1577 (CN2011-ZH PDF) |
其它名稱 | DMG1016UDW-7DITR DMG1016UDW7 |