典型關(guān)斷延遲時間 | 26.3(N 溝道);50.1(P 溝道)ns | |
典型接通延遲時間 | 10.1(P 溝道)ns,5(N 溝道)ns | |
典型柵極電荷@Vgs | 16.1 nC V @ 10(N 溝道),21.1 nC V @ -4.5(P 溝道) | |
典型輸入電容值@Vds | 1002 pF @ -10 V(P 溝道),767 pF @ 10 V(N 溝道) | |
安裝類型 | 表面貼裝 | |
寬度 | 3.95mm | |
封裝類型 | SO-8 | |
尺寸 | 4.95 x 3.95 x 1.5mm | |
引腳數(shù)目 | 8 | |
最低工作溫度 | -55 °C | |
最大功率耗散 | 2.5 W | |
最大柵源電壓 | ±20(N 溝道)V,±20(P 溝道)V | |
最大漏源電壓 | 30(N 溝道)V,-30(P 溝道)V | |
最大漏源電阻值 | 32(N 溝道)mΩ,53(P 溝道)mΩ | |
最大連續(xù)漏極電流 | -7(P 溝道)A,8.5(N 溝道)A | |
最高工作溫度 | +150 °C | |
每片芯片元件數(shù)目 | 2 | |
類別 | 功率 MOSFET | |
通道模式 | 增強 | |
通道類型 | N,P | |
配置 | 雙漏極 | |
長度 | 4.95mm | |
高度 | 1.5mm |