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場(chǎng)效應(yīng)管 MOSFET N RF DE375
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晶體管極性:
N溝道
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電流, Id 連續(xù):
12A
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漏源電壓, Vds:
1kV
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在電阻RDS（上）:
950mohm
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電壓 @ Rds測(cè)量:
15V
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閾值電壓, Vgs th 典型值:
5.5V
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功耗, Pd:
940W
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封??類型:
DE-375
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針腳數(shù):
6
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SVHC(高度關(guān)注物質(zhì)):
No SVHC (19-Dec-2012)
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上升時(shí)間:
3ns
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功耗, Pd:
940W
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功耗, Pd:
940W
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封裝/箱盒:
DE-375
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漏極電流, Id 最大值:
12A
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電壓 Vgs @ Rds on 測(cè)量:
15V
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電壓, Vds 典型值:
1kV
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電壓, Vgs 最高:
20V
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電容值, Ciss 典型值:
2000pF
產(chǎn)地：
US
United States
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DE375-102N12A
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