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DDTA114EKA-7-F,DDTA114EKA-7-F|Diodes Inc代理分銷-DDTA114EKA7F原裝現(xiàn)貨,PDF下載
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Diodes Incorporated

Bipolar Transistors - Pre-Biased 200MW 10K

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DDTA114EKA-7
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Diodes Incorporated

Bipolar Transistors - Pre-Biased 200MW 10KW 10KW

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Diodes Incorporated - DDTA114EKA-7-F - TRANS PREBIAS PNP 200MW SC59-3
Diodes Incorporated
TRANS PREBIAS PNP 200MW SC59-3

详细描述:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 250MHz 200mW Surface Mount SC-59-3

型号:DDTA114EKA-7-F
仓库库存编号:DDTA114EKA-7FDICT-ND
别名:DDTA114EKA-7-FDICT
DDTA114EKA-7-FDICT-ND
DDTA114EKA-7FDICT
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DDTA114EKA-7-F|Diodes Inc
聲明:圖片僅供參考,請以實物為準!
DDTA114EKA-7-F
制造商型號: DDTA114EKA-7-F
制造商: Diodes Inc
描述: TRANS PNP 200MW R1/R2 SC59-3
技術(shù)參考: Rohs PDF查詢
庫存狀態(tài): 實時庫存查詢  所在地:深圳原厂原裝現(xiàn)貨
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產(chǎn)品信息
數(shù)據(jù)列表 DDTA(R1=R2 Series)KA
產(chǎn)品相片 SOT-23-3
PCN Obsolescence Discrete Family 24/Jul/2013
PCN Design/Specification Bond Wire 11/Nov/2011
標準包裝  3,000
類別分立半導體產(chǎn)品
家庭晶體管(BJT) - 單路﹐預偏壓式
系列-
包裝  帶卷 (TR)  
晶體管類型PNP - 預偏壓
電流 - 集電極 (Ic)(最大值)100mA
電壓 - 集射極擊穿(最大值)50V
電阻器 - 基底 (R1) (Ω)10k
電阻器 - 發(fā)射極基底 (R2) (Ω)10k
不同?Ic、Vce?時的 DC 電流增益 (hFE)(最小值)30 @ 5mA,5V
不同?Ib、Ic 時的?Vce 飽和值(最大值)300mV @ 500µA,10mA
電流 - 集電極截止(最大值)500nA
頻率 - 躍遷250MHz
功率 - 最大值200mW
安裝類型表面貼裝
封裝/外殼TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
供應商器件封裝SC-59-3
其它名稱DDTA114EKA-7-F-ND
DDTA114EKA-7-FDITR
DDTA114EKA-7-FDITR-ND
DDTA114EKA-7FDITR
DDTA114EKA7F

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