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DDTA114EKA-7-F [更多] | Diodes Incorporated | Bipolar Transistors - Pre-Biased 200MW 10K RoHS: Compliant | 搜索 |
DDTA114EKA-7 [更多] | Diodes Incorporated | Bipolar Transistors - Pre-Biased 200MW 10KW 10KW RoHS: Not compliant | 搜索 |
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![]() | Diodes Incorporated TRANS PREBIAS PNP 200MW SC59-3 详细描述:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 250MHz 200mW Surface Mount SC-59-3 型号:DDTA114EKA-7-F 仓库库存编号:DDTA114EKA-7FDICT-ND 别名:DDTA114EKA-7-FDICT DDTA114EKA-7-FDICT-ND DDTA114EKA-7FDICT | 无铅 | 搜索 |
數(shù)據(jù)列表 | DDTA(R1=R2 Series)KA |
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產(chǎn)品相片 | SOT-23-3 |
PCN Obsolescence | Discrete Family 24/Jul/2013 |
PCN Design/Specification | Bond Wire 11/Nov/2011 |
標準包裝 | 3,000 |
類別 | 分立半導體產(chǎn)品 |
家庭 | 晶體管(BJT) - 單路﹐預偏壓式 |
系列 | - |
包裝 | 帶卷 (TR) |
晶體管類型 | PNP - 預偏壓 |
電流 - 集電極 (Ic)(最大值) | 100mA |
電壓 - 集射極擊穿(最大值) | 50V |
電阻器 - 基底 (R1) (Ω) | 10k |
電阻器 - 發(fā)射極基底 (R2) (Ω) | 10k |
不同?Ic、Vce?時的 DC 電流增益 (hFE)(最小值) | 30 @ 5mA,5V |
不同?Ib、Ic 時的?Vce 飽和值(最大值) | 300mV @ 500µA,10mA |
電流 - 集電極截止(最大值) | 500nA |
頻率 - 躍遷 | 250MHz |
功率 - 最大值 | 200mW |
安裝類型 | 表面貼裝 |
封裝/外殼 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
供應商器件封裝 | SC-59-3 |
其它名稱 | DDTA114EKA-7-F-ND DDTA114EKA-7-FDITR DDTA114EKA-7-FDITR-ND DDTA114EKA-7FDITR DDTA114EKA7F |