數(shù)據(jù)列表 | CSD75211W1723 |
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產(chǎn)品相片 | 12-DSBGA YZG |
產(chǎn)品培訓模塊 | NexFET MOSFET Technology |
視頻文件 | NexFET Power Block PowerStack? Packaging Technology Overview |
標準包裝 | 3,000 |
類別 | 分立半導體產(chǎn)品 |
家庭 | FET - 陣列 |
系列 | NexFET™ |
包裝 | 帶卷 (TR) |
FET 類型 | 2 個 P 溝道(雙) |
FET 功能 | 邏輯電平門 |
漏源極電壓 (Vdss) | 20V |
電流 - 連續(xù)漏極 (Id)(25° C 時) | 4.5A |
不同?Id、Vgs 時的?Rds On(最大值) | 40 毫歐 @ 2A,4.5V |
不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值) | 1.1V @ 250µA |
不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg) | 5.9nC @ 4.5V |
不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss) | 600pF @ 10V |
功率 - 最大值 | 1.5W |
安裝類型 | 表面貼裝 |
封裝/外殼 | 12-UFBGA,DSBGA |
供應商器件封裝 | 12-DSBGA(1.53x1.98) |
其它名稱 | 296-27598-2 |