CSD75211W1723,CSD75211W1723|Texas Instruments代理分銷-CSD75211W1723原裝現(xiàn)貨,PDF下載
PDF查詢| 數(shù)據(jù)列表 | CSD75211W1723 |
|---|---|
| 產(chǎn)品相片 | 12-DSBGA YZG |
| 產(chǎn)品培訓模塊 | NexFET MOSFET Technology |
| 視頻文件 | NexFET Power Block PowerStack? Packaging Technology Overview |
| 標準包裝 | 3,000 |
| 類別 | 分立半導體產(chǎn)品 |
| 家庭 | FET - 陣列 |
| 系列 | NexFET™ |
| 包裝 | 帶卷 (TR) |
| FET 類型 | 2 個 P 溝道（雙） |
| FET 功能 | 邏輯電平門 |
| 漏源極電壓 (Vdss) | 20V |
| 電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25° C 時） | 4.5A |
| 不同?Id、Vgs 時的?Rds On（最大值） | 40 毫歐 @ 2A，4.5V |
| 不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值） | 1.1V @ 250µA |
| 不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg) | 5.9nC @ 4.5V |
| 不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss) | 600pF @ 10V |
| 功率 - 最大值 | 1.5W |
| 安裝類型 | 表面貼裝 |
| 封裝/外殼 | 12-UFBGA，DSBGA |
| 供應商器件封裝 | 12-DSBGA（1.53x1.98） |
| 其它名稱 | 296-27598-2 |
