數(shù)據(jù)列表 | CSD17527Q5A |
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產(chǎn)品相片 | 8-PowerTDFN |
產(chǎn)品培訓模塊 | NexFET MOSFET Technology |
視頻文件 | PowerStack? Packaging Technology Overview |
設(shè)計資源 | Create your power design now with TI’s WEBENCH? Designer |
標準包裝 | 2,500 |
類別 | 分立半導體產(chǎn)品 |
家庭 | FET - 單 |
系列 | NexFET™ |
包裝 | 帶卷 (TR) |
FET 類型 | MOSFET N 通道,金屬氧化物 |
FET 功能 | 標準 |
漏源極電壓 (Vdss) | 30V |
電流 - 連續(xù)漏極 (Id)(25° C 時) | 65A (Tc) |
不同?Id、Vgs 時的?Rds On(最大值) | 10.8 毫歐 @ 11A,10V |
不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值) | 2V @ 250µA |
不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg) | 3.4nC @ 4.5V |
不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss) | 506pF @ 15V |
功率 - 最大值 | 3W |
安裝類型 | 表面貼裝 |
封裝/外殼 | 8-PowerTDFN |
供應商器件封裝 | 8-SON(5x6) |
其它名稱 | 296-29021-2 |