CSD16412Q5A,CSD16412Q5A|Texas Instruments代理分銷-CSD16412Q5A原裝現(xiàn)貨,PDF下載
| 數(shù)據(jù)列表 | CSD16412Q5A |
|---|---|
| 產品相片 | 8-PowerTDFN |
| 產品培訓模塊 | NexFET MOSFET Technology |
| 視頻文件 | NexFET Power Block PowerStack? Packaging Technology Overview |
| 設計資源 | Create your power design now with TI’s WEBENCH? Designer |
| 標準包裝 | 2,500 |
| 類別 | 分立半導體產品 |
| 家庭 | FET - 單 |
| 系列 | NexFET™ |
| 包裝 | 帶卷 (TR) |
| FET 類型 | MOSFET N 通道，金屬氧化物 |
| FET 功能 | 標準 |
| 漏源極電壓 (Vdss) | 25V |
| 電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25° C 時） | 14A （Ta）， 52A （Tc） |
| 不同?Id、Vgs 時的?Rds On（最大值） | 11 毫歐 @ 10A，10V |
| 不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值） | 2.3V @ 250µA |
| 不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg) | 3.8nC @ 4.5V |
| 不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss) | 530pF @ 12.5V |
| 功率 - 最大值 | 3W |
| 安裝類型 | 表面貼裝 |
| 封裝/外殼 | 8-PowerTDFN |
| 供應商器件封裝 | 8-SON（5x6） |
| 產品目錄頁面 | 1623 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名稱 | 296-24256-2 |
