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場效應(yīng)管 MOSFET N TO-3
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晶體管極性:
N溝道
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電流, Id 連續(xù):
16A
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???源電壓, Vds:
160V
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在電阻RDS（上）:
750mohm
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閾值電壓, Vgs th 典型值:
1.5V
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功耗, Pd:
250W
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封裝類型:
TO-3
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針腳數(shù):
2
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SVHC(高度關(guān)注物質(zhì)):
No SVHC (19-Dec-2012)
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器件標(biāo)記:
BUZ900D
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封裝/箱盒:
TO-3
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晶體管數(shù):
1
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溫度 @ 電流測量:
25°C
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滿功率溫度:
25°C
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漏極電流, Id 最大值:
16A
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電壓, Vds 典型值:
160V
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電壓, Vgs 最高:
14V
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表面安裝器件:
通孔
產(chǎn)地：
GB
United Kingdom
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