數據列表 | BUK9K89-100E |
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標準包裝 | 1,500 |
類別 | 分立半導體產品 |
家庭 | FET - 陣列 |
系列 | TrenchMOS™ |
包裝 | 帶卷 (TR) |
FET 類型 | 2 個 N 溝道(雙) |
FET 功能 | 邏輯電平門 |
漏源極電壓 (Vdss) | 100V |
電流 - 連續(xù)漏極 (Id)(25° C 時) | 12.5A |
不同?Id、Vgs 時的?Rds On(最大值) | 85 毫歐 @ 5A, 10V |
不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值) | 2.1V @ 1mA |
不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg) | 16.8nC @ 10V |
不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss) | 1108pF @ 25V |
功率 - 最大值 | 38W |
安裝類型 | 表面貼裝 |
封裝/外殼 | SOT1205,8-LFPAK56 |
供應商器件封裝 | LFPAK56D |
其它名稱 | 568-9905-2 BUK9K89100E115 |