BSZ120P03NS3 G,BSZ120P03NS3 G|Infineon Technologies代理分銷-BSZ120P03NS3G原裝現(xiàn)貨,PDF下載
PDF查詢| 數(shù)據(jù)列表 | BSZ120P03NS3 |
|---|---|
| 產(chǎn)品相片 | 8-TSDSON |
| 標(biāo)準(zhǔn)包裝 | 5,000 |
| 類別 | 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 |
| 家庭 | FET - 單 |
| 系列 | OptiMOS™ |
| 包裝 | 帶卷 (TR) |
| FET 類型 | MOSFET P 通道，金屬氧化物 |
| FET 功能 | 邏輯電平門 |
| 漏源極電壓 (Vdss) | 30V |
| 電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25° C 時(shí)） | 11A （Ta）， 40A （Tc） |
| 不同?Id、Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值） | 12 毫歐 @ 20A，10V |
| 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大值） | 1.9V @ 73µA |
| 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 (Qg) | 45nC @ 10V |
| 不同 Vds 時(shí)的輸入電容 (Ciss) | 3360pF @ 15V |
| 功率 - 最大值 | 2.1W |
| 安裝類型 | 表面貼裝 |
| 封裝/外殼 | 8-PowerTDFN |
| 供應(yīng)商器件封裝 | PG-TSDSON-8（3.3x3.3） |
| 其它名稱 | SP000709736 |
