數(shù)據(jù)列表 | BSS84 Datasheet |
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產(chǎn)品相片 | SOT23 |
產(chǎn)品目錄繪圖 | SOT-23 Package Top SOT-23 Package Side 1 SOT-23 Package Side 2 |
PCN Design/Specification | Green Encapsulate 15/May/2008 Bond Wire 3/May/2011 |
標(biāo)準(zhǔn)包裝 | 3,000 |
類別 | 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 |
家庭 | FET - 單 |
系列 | - |
包裝 | 帶卷 (TR) |
FET 類型 | MOSFET P 通道,金屬氧化物 |
FET 功能 | 邏輯電平門 |
漏源極電壓 (Vdss) | 50V |
電流 - 連續(xù)漏極 (Id)(25° C 時) | 130mA (Ta) |
不同?Id、Vgs 時的?Rds On(最大值) | 10 歐姆 @ 100mA,5V |
不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值) | 2V @ 1mA |
不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg) | - |
不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss) | 45pF @ 25V |
功率 - 最大值 | 300mW |
安裝類型 | 表面貼裝 |
封裝/外殼 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
供應(yīng)商器件封裝 | SOT-23-3 |
產(chǎn)品目錄頁面 | 1578 (CN2011-ZH PDF) |
其它名稱 | BSS84-FDITR BSS847F |