數(shù)據(jù)列表 | BSP613P |
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產品相片 | SOT223-3L |
產品變化通告 | Product Discontinuation 28/Mar/2008 |
標準包裝 | 1,000 |
類別 | 分立半導體產品 |
家庭 | FET - 單 |
系列 | SIPMOS® |
包裝 | 帶卷 (TR) |
FET 類型 | MOSFET P 通道,金屬氧化物 |
FET 功能 | 邏輯電平門 |
漏源極電壓 (Vdss) | 60V |
電流 - 連續(xù)漏極 (Id)(25° C 時) | 2.9A (Ta) |
不同?Id、Vgs 時的?Rds On(最大值) | 130 毫歐 @ 2.9A,10V |
不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值) | 4V @ 1mA |
不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg) | 33nC @ 10V |
不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss) | 875pF @ 25V |
功率 - 最大值 | 1.8W |
安裝類型 | 表面貼裝 |
封裝/外殼 | TO-261-4,TO-261AA |
供應商器件封裝 | PG-SOT223-4 |
其它名稱 | BSP613PT SP000012301 |