BSP129E6327T,BSP129E6327T|Infineon Technologies代理分銷-BSP129E6327T原裝現(xiàn)貨,PDF下載
PDF查詢| 數據列表 | BSP129 |
|---|---|
| 產品相片 | SOT223-3L |
| 標準包裝 | 1,000 |
| 類別 | 分立半導體產品 |
| 家庭 | FET - 單 |
| 系列 | SIPMOS® |
| 包裝 | 帶卷 (TR) |
| FET 類型 | MOSFET N 通道，金屬氧化物 |
| FET 功能 | 耗盡模式 |
| 漏源極電壓 (Vdss) | 240V |
| 電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25° C 時） | 350mA （Ta） |
| 不同?Id、Vgs 時的?Rds On（最大值） | 6 歐姆 @ 350mA，10V |
| 不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值） | 1V @ 108µA |
| 不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg) | 5.7nC @ 5V |
| 不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss) | 108pF @ 25V |
| 功率 - 最大值 | 1.8W |
| 安裝類型 | 表面貼裝 |
| 封裝/外殼 | TO-261-4，TO-261AA |
| 供應商器件封裝 | PG-SOT223-4 |
| 其它名稱 | BSP129XTINTR |
