典型關(guān)斷延遲時(shí)間 | 20 ns | |
典型接通延遲時(shí)間 | 12 ns | |
典型柵極電荷@Vgs | 14 常閉 V @ 10 | |
典型輸入電容值@Vds | 300 pF V @ 25 | |
安裝類型 | 表面貼裝 | |
封裝類型 | SO-8 | |
引腳數(shù)目 | 8 | |
最低工作溫度 | -55 °C | |
最大功率耗散 | 2 W | |
最大柵源電壓 | ±20 V | |
最大漏源電壓 | 60 V | |
最大漏源電阻值 | 0.15 Ω | |
最大連續(xù)漏極電流 | 2.6 A | |
最高工作溫度 | +150 °C | |
每片芯片元件數(shù)目 | 2 | |
類別 | 小信號(hào) | |
通道模式 | 增強(qiáng) | |
通道類型 | N |